[发明专利]一种STI结构CMP方法以及STI结构制作方法

摘要

本发明公开了一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层的STI-CMP方法、以及采用所述方法制作STI结构的方法，使用具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨去除沟槽二氧化硅填充层并且停在氮化硅保护层上，接着用具有较高的氮化硅对氧化硅研磨速率比的研磨液研磨氮化硅保护层，在完全去除氮化硅保护层之后，再使用原来的具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨二氧化硅保护层，最终停留在氮化硅阻挡层之上。从而避免了传统STI制作方法中额外的去除氮化硅保护层和二氧化硅保护层的湿法刻蚀步骤，降低了工艺复杂度，并有利于提高晶圆表面的平坦度。

主权项

一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层浅沟槽结构的化学机械抛光方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，使用氧化硅对氮化硅研磨速率比大于1的研磨液对沟槽二氧化硅填充层进行研磨，并且研磨停止在氮化硅保护层上；步骤2，使用氮化硅对氧化硅研磨速率比大于1的研磨液对氮化硅保护层层进行研磨，并且研磨停止在氧化硅保护层上；步骤3，再次使用步骤1中所述研磨液研磨二氧化硅保护层，并最终停止在氮化硅阻挡层之上；步骤4，去除浅沟槽外衬底表面的氮化硅和二氧化硅保护层。