[发明专利]一种STI结构CMP方法以及STI结构制作方法

权利要求书

1.一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层浅沟槽结构的化学机械抛光方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1，使用氧化硅对氮化硅研磨速率比大于1的研磨液对沟槽二氧化硅填充层进行研磨，并且研磨停止在氮化硅保护层上；

步骤2，使用氮化硅对氧化硅研磨速率比大于1的研磨液对氮化硅保护层层进行研磨，并且研磨停止在氧化硅保护层上；

步骤3，再次使用步骤1中所述研磨液研磨二氧化硅保护层，并最终停止在氮化硅阻挡层之上；

步骤4，去除浅沟槽外衬底表面的氮化硅和二氧化硅保护层。

2.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，步骤1中所述研磨液磨料为二氧化硅或二氧化铈中的一种或几种的混合。

3.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，步骤2中所述研磨液为热磷酸。

4.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，步骤4中去除衬底保护层的方法为湿法刻蚀。

5.一种浅沟槽结构制作方法，其特征在于，步骤包括：

步骤1，硅衬底上依次淀积二氧化硅阻挡层和氮化硅阻挡层；

步骤2，通过光刻和刻蚀，在所述硅衬底上定义浅沟槽隔离区；

步骤3，在所述浅沟槽依次淀积二氧化硅保护层和氮化硅保护层，形成双内壁保护层；

步骤4，在浅沟槽以及浅沟槽周围衬底表面淀积氧化硅填充层；

步骤5，化学机械抛光去除阻挡层和保护层，具体步骤包括：

步骤5.1，使用氧化硅对氮化硅研磨速率比大于1的研磨液对沟槽二氧化硅填充层进行研磨，并且研磨停止在氮化硅保护层上；

步骤5.2，使用氮化硅对氧化硅研磨速率比大于1的研磨液对氮化硅保护层层进行研磨，并且研磨停止在氧化硅保护层上；

步骤5.3，再次使用步骤5.1中所述研磨液研磨二氧化硅保护层，并最终停止在氮化硅阻挡层之上；

步骤5.4，去除浅沟槽外衬底表面的氮化硅和二氧化硅保护层。

6.根据权利要求5所述的浅沟槽结构制作方法，其特征在于，步骤5.1中所述研磨液磨料为二氧化硅或二氧化铈中的一种或几种的混合。

7.根据权利要求5所述的浅沟槽结构制作方法，其特征在于，步骤5.2中所述研磨液为热磷酸。

8.根据权利要求5所述的浅沟槽结构制作方法，其特征在于，步骤5.4中去除衬底保护层的方法为湿法刻蚀。