[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 201110249337.2 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102646569A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孙亨圭 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，包括：腔室；设置在所述腔室的上部中的上电极；设置在所述腔室的下部中与所述上电极相对的位置处的下电极；布置在所述下电极之下的绝缘板；以及设置在所述绝缘板之下的底板，所述底板布置为使得所述下电极和所述底板之间的间隔能够为锥形。在根据本发明示例性实施方式的等离子体处理装置中，位于上下且之间具有绝缘板的冷却板和底板并不平行而是相互倾斜，使得可以通过在冷却板和底板之间产生的电场来最大化地防止提供到下电极的射频(RF)输送的损失，从而提高了RF输送效率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；设置在所述腔室的上部中的上电极；设置在所述腔室的下部中与所述上电极相对的位置处的下电极；布置在所述下电极之下的绝缘板；以及设置在所述绝缘板之下的底板，所述底板布置为使得所述下电极和所述底板之间的间隔能够为锥形。
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