[发明专利]等离子体处理装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年2月22日提交的韩国专利申请No.10-2011-0015600的优先权，在此以引用的方式将其全部内容并入。

技术领域

本发明提供一种等离子体处理装置，更具体地，提供一种提高了容性耦合等离子体(CCP)装置中的射频(RF)输送(transfer)效率的等离子体处理装置。

背景技术

通常，等离子体处理装置广泛用于等离子体化学气相沉积装置、等离子体溅射装置、等离子体刻蚀装置、等离子体离子注入和掺杂装置等，以在基板上形成薄膜。

作为产生等离子体的方法，存在诸如容性耦合等离子体(CCP)法、感性耦合等离子体(ICP)法、电子回旋共振(ECR)等离子体法、微波等离子体法等多种方法。

在这些方法之中，用于产生CCP的装置包括上电极和下电极，并包括位于下电极下面的绝缘材料和底板。

然而，底板和下电极大多以平行平板的形式实现。因此，底板和下电极可用作电容器，并产生不期望的电场。该电场中断了从底板底部向下电极施加的射频(RF)流，从而降低了RF输送效率。

发明内容

相应地，构思本发明以解决上述问题，并且本发明的一个方面是提供一种等离子体处理装置，其中下电极下面的底板和底板上方的下电极或冷却板相互倾斜，使得可以提高提供到下电极的射频(RF)输送效率。

在一个方面中，一种等离子体处理装置，包括：腔室；设置在所述腔室的上部中的上电极；设置在所述腔室的下部中与所述上电极相对的位置处的下电极；布置在所述下电极之下的绝缘板；以及设置在所述绝缘板之下的底板，所述底板布置为使得所述下电极和所述底板之间的间隔能够为锥形。

该等离子体处理装置还可包括在所述下电极和所述绝缘板之间的冷却板，所述冷却板的与所述绝缘板接触的表面形成为锥形，所述冷却板的中央部分和周围部分的厚度不同。

所述冷却板的中央部分可比周围部分厚。所述冷却板的中央部分可比周围部分薄。所述底板的与所述绝缘板接触的表面形成为锥形，所述底板的中央部分和周围部分的厚度不同。所述底板的中央部分可比周围部分厚。所述底板的中央部分可比周围部分薄。所述绝缘板可包括第一绝缘板和第二绝缘板，所述第一绝缘板包括特氟隆材料，所述第二绝缘板堆叠到所述第一绝缘板的底部并包括陶瓷材料。所述第二绝缘板可在横向方向上比所述第一绝缘板延伸地更多。所述第一绝缘板和所述第二绝缘板相互接触的表面可以不平坦的倾斜模式形成。

如上所述，在根据本发明的示例性实施方式的等离子体处理装置中，位于上下且之间具有绝缘板的冷却板(或下电极)和底板并不平行而是相互倾斜，使得可以通过在冷却板和底板之间产生的电场来最大化地防止提供到下电极的RF流的损失，从而提高了RF输送效率。

附图说明

图1是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的等离子体处理装置的视图。

图2是示出了根据本发明的第二示例性实施方式的等离子体处理装置的视图。

图3是示出了根据本发明的第三示例性实施方式的等离子体处理装置的视图。

图4是示出了根据本发明的第四示例性实施方式的等离子体处理装置的视图。

图5是示出了根据本发明的第五示例性实施方式的等离子体处理装置的视图。

具体实施方式

通过参照附图对示例性实施方式的详细说明，本发明将更加明显，并且本领域技术人员能够容易地实现本发明的技术构想。并且，如果确定关于与本发明相关的公知技术的详细说明可能会使得本发明的主要构想不清楚，则将省略其详细说明。

在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。

图1是示出了根据本发明的第一示例性实施方式的等离子体处理装置的视图。如图1所示，根据本发明的第一示例性实施方式的等离子体处理装置包括内部设置有反应室的腔室100。腔室100的顶部或底部接地。

上电极110设置在腔室100的上部中，下电极130设置在腔室100的下部中。上电极110可与接地电极或匹配单元连接。

此外，上电极110设置有供气单元120，以供应用于激发等离子体并进行处理的处理气体。尽管没有示出，但是连接到供气单元120的上电极110可具有喷头结构，使得处理气体能够被均匀地供应到反应室内部。

下电极130设置在腔室100的下部中。尽管没有示出，但是，可在下电极130上设置静电卡盘(ESC)。因此，经受等离子体处理的基板放置(seated)在ESC上。