[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 201110249337.2 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102646569A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 孙亨圭 | 申请（专利权）人： | 丽佳达普株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：
腔室；
设置在所述腔室的上部中的上电极；
设置在所述腔室的下部中与所述上电极相对的位置处的下电极；
布置在所述下电极之下的绝缘板；以及
设置在所述绝缘板之下的底板，所述底板布置为使得所述下电极和所述底板之间的间隔能够为锥形。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，该等离子体处理装置还包括在所述下电极和所述绝缘板之间的冷却板，所述冷却板的与所述绝缘板接触的表面形成为锥形，所述冷却板的中央部分和周围部分的厚度不同。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中所述冷却板的中央部分比周围部分厚。
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中所述冷却板的中央部分比周围部分薄。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述底板的与所述绝缘板接触的表面形成为锥形，所述底板的中央部分和周围部分的厚度不同。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中所述底板的中央部分比周围部分厚。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中所述底板的中央部分比周围部分薄。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中所述绝缘板包括第一绝缘板和第二绝缘板，所述第一绝缘板包括特氟隆材料，所述第二绝缘板堆叠到所述第一绝缘板的底部并包括陶瓷材料。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中所述第二绝缘板在横向方向上比所述第一绝缘板延伸地更多。
10.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中所述第一绝缘板和所述第二绝缘板相互接触的表面以不平坦的倾斜模式形成。
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