[发明专利]基于基片制造卡的方法有效
| 申请号： | 201110245456.0 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102385715A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 马克·伯廷;格拉尔德·加兰 | 申请（专利权）人： | 欧贝特科技公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 法国勒瓦*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于基片(101)来制造卡(102)的方法，所述方法包括以下步骤：在基片(101)内定义卡(102)的边界，所述方法还包括以下步骤：在卡(102)边界的一部分上形成斜切，使得在边界定义步骤和斜切步骤完成时，卡(102)的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：i＝1，6...8；j＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，卡(102)的物理尺寸还符合所述标准的参数A9。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于具有预定厚度的基片(101)来制造卡(102)的方法，所述方法包括以下步骤：在基片内定义卡的边界(E15)，所述方法的特征在于还包括以下步骤：在卡边界的一部分上形成斜切(110)(E40，E45)，在边界定义步骤和斜切形成步骤之后，卡的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：·i＝1，6...8；·j＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及·m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，物理尺寸还符合所述标准的参数A9，所述方法的特征还在于，边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前执行的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧贝特科技公司，未经欧贝特科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110245456.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制终端设备和控制方法
- 下一篇：用于存储器管理的处理器、设备和方法
