[发明专利]基于基片制造卡的方法有效

专利信息
申请号: 201110245456.0 申请日: 2011-08-25
公开(公告)号: CN102385715A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 马克·伯廷;格拉尔德·加兰 申请(专利权)人: 欧贝特科技公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李敬文
地址: 法国勒瓦*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 基于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种基于具有预定厚度的基片(101)来制造卡(102)的方法,所述方法包括以下步骤:

在基片内定义卡的边界(E15),

所述方法的特征在于还包括以下步骤:在卡边界的一部分上形成斜切(110)(E40,E45),在边界定义步骤和斜切形成步骤之后,卡的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3.00定义的参数AAiBBjC2C3Rm,其中:

·i=1,6...8;

·j=1,4,10,11,xy,[xy]对等于[6,9]或等于[14,15];以及

·m=1...6,17...19;

x=6,y=9时,物理尺寸还符合所述标准的参数A9

所述方法的特征还在于,边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前执行的。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,边界定义步骤包括以下子步骤中的至少一个:

-预切割子步骤(E20),制作用于将卡边界的一部分附着至基片的至少一个减弱附着件(104),

-冲孔子步骤(E30),在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建至少一个槽区域(106)。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述预定厚度严格小于0.9mm。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,基片符合根据ISO 7816标准的ID-1或ID-00卡格式。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,在所述斜切形成步骤期间,通过铣削来制作斜切。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,还包括以下步骤:在提取卡之前,将卡减薄,以形成夹持区域(116;222),所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处,所述夹持区域沿具有所述斜切的边界的方向延伸,所述预定距离对应于根据所述Micro SD标准的距离B2。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,夹持区域是与所述斜切(110)的表面相对的卡表面上的凹槽(116)。

8.根据权利要求7所述的方法,凹槽具有实质上等于300μm的深度和实质上等于2mm的宽度。

9.根据权利要求6所述的方法,其中,减薄步骤对应于:铣削步骤(E45),对与所述斜切(210)的表面相对的卡表面进行部分地铣削,使得卡(202)的物理尺寸符合Micro SD卡标准定义的参数AAiBBjC2C3Rm,其中:

·i=1,6...9;

·j=1...4,6,9...11;以及

·m=1...19。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,在提取卡之前还包括步骤:将模块(120)置于卡中(E50,E60),所述模块包括符合Micro SD卡标准的微电路和齐平接触盘(112)。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述模块还包括符合ISO7816标准的齐平接触盘(114)。

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