[发明专利]相变记忆体、电子系统、可逆性电阻存储单元及提供方法

摘要

一种相变记忆体、电子系统、可逆性电阻存储单元及提供方法，该存储单元包括多个多元化的可逆性电阻存储单元，至少之一包括：一可逆性电阻元件被耦合到第一电源电压线；一二极管包括至少有一第一主动区和一第二主动区，第一主动区具有一第一类型掺杂，第二主动区具有一第二类型掺杂，第一主动区提供了二极管的一第一端，第二主动区提供二极管的一第二端，第一主动区和第二主动区均存在一共同的阱区，第一主动区被耦合到可逆性电阻元件，第二主动区被耦合到第二电源电压线；第一和第二主动区是从CMOS的源极或漏极来制造，而阱是从CMOS阱制造；经由施加电压到该第一和第二电源电压线，可逆性电阻元件可逆的改变电阻为不同的逻辑状态，而被配置为可编程。

主权项

一种可逆性电阻存储单元，其特征在于，包括：多个多元化的可逆性电阻存储单元，至少有一可逆性电阻存储单元包括：一可逆性电阻元件，被耦合到第一电源电压线；及一二极管，包括至少有一第一主动区和一第二主动区，其中该第一主动区具有一第一类型掺杂，该第二主动区具有一第二类型掺杂，该第一主动区提供了二极管的一第一端，该第二主动区提供二极管的一第二端，该第一主动区和该第二主动区二者均存在一共同的阱区，该第一主动区被耦合到该可逆性电阻元件，而该第二主动区被耦合到第二电源电压线；其中该第一和第二主动区是从金氧半导体晶体管元件的源极或漏极来制造，而阱是从金氧半导体晶体管阱制造；其中经由施加电压到该第一和第二电源电压线，该可逆性电阻元件从而可逆的改变电阻为不同的逻辑状态，进而被配置为可编程。