[发明专利]相变记忆体、电子系统、可逆性电阻存储单元及提供方法

权利要求书

1.一种可逆性电阻存储单元，其特征在于，包括：多个多元化的可逆性电阻存储单元，至少有一可逆性电阻存储单元包括：

一可逆性电阻元件，被耦合到第一电源电压线；及

一二极管，包括至少有一第一主动区和一第二主动区，其中该第一主动区具有一第一类型掺杂，该第二主动区具有一第二类型掺杂，该第一主动区提供了二极管的一第一端，该第二主动区提供二极管的一第二端，该第一主动区和该第二主动区二者均存在一共同的阱区，该第一主动区被耦合到该可逆性电阻元件，而该第二主动区被耦合到第二电源电压线；

其中该第一和第二主动区是从金氧半导体晶体管元件的源极或漏极来制造，而阱是从金氧半导体晶体管阱制造；

其中经由施加电压到该第一和第二电源电压线，该可逆性电阻元件从而可逆的改变电阻为不同的逻辑状态，进而被配置为可编程。

2.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻元件为相变薄膜包括化学成分锗，锑和碲。

3.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻元件为相变薄膜包括化学成分锗，锑和碲，而且可以掺至少有一种或多种的铟，锡或硒。

4.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻元件为金属或金属合金电极和电极之间的金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻元件为电极和电极之间的固态电解质薄膜。

6.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻元件在不同的存储单元里彼此分离。

7.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻元件为平面。

8.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻薄膜的面积A，可逆电阻薄膜耦合到硅表面通过接点的面积B，且其中A和B满足关系：A/B＞2。

9.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆性电阻薄膜的两个维度在平行于硅基体上，至少有一个维度其长度大于从硅表面到薄膜的高度。

10.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，该两个主动区是作为二极管的两端，被一假金氧半导体栅极分开。

11.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，该两个主动区是作为二极管的两端，被用于隔离金氧半导体元件的浅沟隔离分开。

12.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，该两个主动区是作为二极管的两端，被硅化物阻挡层分开。

13.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，该可逆电阻薄膜被构建成可编程，由高电压和/或短持续时间使该可逆电阻薄膜到一个状态，而由低电压和/或长持续时间使该可逆电阻薄膜到另一个状态。

14.根据权利要求1所述的可逆性电阻存储单元，其特征在于，可逆电阻薄膜被构建成由使用的电流限制或电压限制而加以编程。

15.一种相变记忆体，其特征在于，包括：

多个多元化的相变存储单元，至少有一相变存储单元包括：

一相变薄膜，被耦合到第一电源电压线；及

一二极管，包括至少有一第一主动区和一第二主动区，其中该第一主动区具有一第一类型掺杂，该第二主动区具有一第二类型掺杂，该第一主动区域提供了二极管的一第一端，该第二主动区提供二极管的一第二端，该第一主动区和第二主动区二者均存在一共同的阱区，该第一主动区被耦合到该相变薄膜，该第二主动区被耦合到第二电源电压线；

其中第一和第二主动区是从金氧半导体晶体管元件的源极或漏极来制造，而阱是从金氧半导体晶体管阱制造；

其中经由施加电压到第一和第二电源电压线，该相变薄膜从而可逆的改变电阻为不同的逻辑状态，进而被配置为可编程。