[发明专利]功率晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种功率晶体管的制作方法，本发明方法通过在栅多晶硅顶部形成的绝缘介质层、以及绝缘介质层侧面形成的侧壁介质层作为承压区刻蚀的硬掩膜，减少了正面工艺所需要的掩膜版的数量，能提高芯片内晶体管的密度。本发明方法通过在P型阱区中刻蚀形成一沟槽并在沟槽内部填充P型多晶硅层和N型多晶硅层、并对P型多晶硅层和N型多晶硅层进行退火推进形成纵向分布的源极和背栅接触区，能提高器件的抗闩锁的能力，还有利于获得更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的功率器件。

主权项

一种功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在N型承压区的表面由下往上依次形成栅氧化层、栅多晶硅和绝缘介质层；采用光刻刻蚀对所述绝缘介质层和所述栅多晶硅进行刻蚀形成栅极；步骤二、以所述绝缘介质层为第一掩膜进行离子注入形成P型阱并对所述P型阱进行退火推进，推进到所述栅多晶硅底部的部分所述P型阱组成沟道区；步骤三、在所述绝缘介质层的侧面形成侧墙介质层；以所述绝缘介质层和所述侧墙介质层为第二掩膜进行刻蚀并形成沟槽，所述刻蚀的刻蚀深度小于所述P型阱的深度、所述沟槽的底部处于所述P型阱中；步骤四、在所述沟槽淀积P型多晶硅，所述P型多晶硅未将所沟槽填满；再在所述沟槽淀积N型多晶硅，所述N型多晶硅位于所述P型多晶硅顶部并将所述沟槽完全填满；步骤五、进行第二次退火推进形成纵向分布的源极和背栅接触区，所述源极由所述N型多晶硅扩散形成、所述背栅接触区由所述P型多晶硅扩散形成；步骤六、形成金属接触；所述源极和所述背栅接触区的金属接触为同一金属接触、且该金属接触是先形成一穿过所述N型多晶硅并进入到P型多晶硅的接触孔后再填入金属形成。