[发明专利]金属氧化物半场效晶体管有效
| 申请号： | 201110241606.0 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102867853A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安;潘钦寒 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种金属氧化物半场效晶体管，包括源极区、漏极区、栅极以及栅介电层。漏极区位于基底中，呈椭圆形螺旋状，且其起始部分别呈条状或水滴状，或其起始部的曲率为0.02um-1至0.0025um-1。源极区，位于基底中，环绕于漏极区周缘。栅极位于源极区与漏极区之间的基底上。栅介电层位于栅极与基底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半场 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，包括：一漏极区，位于一基底中，所述漏极区具有第一导电型，呈椭圆形螺旋状，其起始部呈条状或水滴状，或其起始部的曲率为0.02um‑1至0.0025um‑1；一源极区，具有第一导电型，位于所述基底中，环绕于所述漏极区周缘；一栅极，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底上；以及一栅介电层位于所述栅极与所述基底之间。
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