[发明专利]金属氧化物半场效晶体管

权利要求书

1.一种金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，包括：

一漏极区，位于一基底中，所述漏极区具有第一导电型，呈椭圆形螺旋状，其起始部呈条状或水滴状，或其起始部的曲率为0.02um^-1至0.0025um^-1；

一源极区，具有第一导电型，位于所述基底中，环绕于所述漏极区周缘；

一栅极，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底上；以及

一栅介电层位于所述栅极与所述基底之间。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，呈条状的所述漏极区的起始部由一弧部以及一矩形部所构成。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，所述漏极区为单一圈椭圆螺旋状。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，所述漏极区为多圈椭圆螺旋状。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括：

一第一导电型第一掺杂区，位于所述漏极区与所述基底之间；以及

一第二导电型第一掺杂区，位于所述第一导电型第一掺杂区中，环绕于所述漏极区周围。

6.如权利要求5所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，所述第二导电型第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第一导电型第一掺杂区的掺杂浓度。

7.如权利要求5所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，所述第一导电型第一掺杂区的第一个转弯所围的所述基底呈半圆形。

8.如权利要求5所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括一第二导电型第二掺杂区，位于所述第一导电型第一掺杂区的一第一转弯处的所述源极区周围的所述第二导电型第一掺杂区中，其中所述第二导电型第一掺杂区以及所述第二导电型第二掺杂区的掺杂浓度和大于所述第一导电型第一掺杂区的掺杂浓度。

9.如权利要求5所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括一第一导电型第二掺杂区与一第二导电型第三掺杂区，其中：

所述第一导电型第二掺杂区，位于所述第一导电型第一掺杂区周围的所述基底中；以及

所述第二导电型第三掺杂区，位于所述第一导电型第二掺杂区中，且所述源极区位于所述第二导电型第三掺杂区中。

10.如权利要求9所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，在所述金属氧化物半场效晶体管的中心处的所述第二导电型第三掺杂区所围绕的所述基底呈圆形。

11.如权利要求9所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括二第一导电型浓掺杂区，分别位于所述第二导电型第三掺杂区中以及所述第一导电型第一掺杂区中，且分别使所述源极区以及所述漏极区位于所述第一导电型浓掺杂区中。

12.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括一第一导电型淡掺杂区，位于所述源极区与所述栅极之间的所述基底中，与所述源极区电性连接。

13.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括一接触窗，与所述漏极区的一第一个转弯处电性连接。

14.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，更包括一接触窗与所述漏极区起始部处电性连接。

15.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，当所述第一导电型为N型时，所述第二导电型为P型；当所述第一导电型为P型时，所述第二导电型为N型。

16.如权利要求1所述的金属氧化物半场效晶体管，其特征在于，所述源极区环绕在所述漏极区周围。