[发明专利]静电放电保护电路

摘要

本发明公开了一种静电放电(ESD)保护结构，包括设置在N+区下面的高电压P型注入区。该高电压P型注入区和N+区根据不同的掺杂浓度形成反向二极管或齐纳二极管。该ESD保护结构还包括多个P+和N+区。该高电压P型注入区和P+和N+区形成具有击穿特性的半导体器件。在一个实施例中，该半导体器件可以是双极PNP晶体管。串联连接的该双极PNP晶体管和齐纳二极管形成ESD保护电路。在另一实施例中，该半导体器件可以是可控硅整流器(SCR)，其与反向二极管串联连接。这两个实施例均提供了可靠的ESD保护。

主权项

一种静电放电(ESD)保护设备，包括：二极管，其阳极电连接至半导体器件的第一端子；所述二极管包括：由高电压P型注入区和设置在所述高电压P型注入区上的N+区形成的结；以及所述半导体器件，具有第一击穿电压；所述半导体器件还包括所述第一端子和第二端子，其中，在跨越所述第一端子和所述第二端子的电压超过所述第一击穿电压后，电流流入所述第一端子并流出所述第二端子。