[发明专利]锗硅HBT发射级光刻对准精度优化的方法有效
| 申请号： | 201110240918.X | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102956477A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT发射级光刻对准精度优化的方法，发射级对发射级开口层的光刻对准标记和叠对精准测量标识OVL mark均放置在场区，工艺流程包括：有源区光刻刻蚀产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL mark的衬底区；SiO2沉积与CMP产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL mark的SiO2材料构成的衬底；基区BP刻蚀在发射级开口之前，且发射级开口膜层沉积在基区BP刻蚀之后；发射级开口光刻刻蚀后追加的湿法刻蚀。本发明可以大大加强光学对比度，避免因为信号强度不足引起的光学对准精度测量误差与非稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅 hbt 发射 光刻 对准 精度 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅HBT发射级光刻对准精度优化的方法，其特征为，发射级对发射级开口层的光刻对准标记和叠对精准测量标识OVL mark均放置在场区，工艺流程包括：有源区光刻刻蚀产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL mark的衬底区；SiO2沉积与化学机械抛光CMP产生发射级对发射级开口对准标记和叠对精准测量标识OVL mark的SiO2材料构成的衬底；基区BP刻蚀在发射级开口之前，且发射级开口膜层沉积在基区BP刻蚀之后；发射级开口光刻刻蚀后追加的湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
