[发明专利]TFT阵列的结构及制造方法有效
| 申请号： | 201110239955.9 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102332452A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张维宏;贺成明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种TFT阵列的结构及制造方法。该结构可包括：第一金属导电层、中间层、第二金属导电层、钝化层以及黑色电极层；所述第一金属导电层通过成膜以及第一道光罩形成于基板上；所述中间层通过沉积以及第二道光罩形成于所述第一金属导电层上；所述第二金属导电层通过第三道光罩蚀刻形成于所述中间层上；所述钝化层通过沉积以及第四道光罩的蚀刻形成于所述中间层以及第二金属导电层上；所述黑色电极层形成于所述钝化层上。本发明的TFT阵列的结构及制造方法，减少了电压损耗，提升TFT液晶显示器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列的结构，其特征在于，包括：第一金属导电层、中间层、第二金属导电层、钝化层以及黑色电极层；所述第一金属导电层通过成膜以及第一道光罩形成于基板上；所述中间层通过沉积以及第二道光罩形成于所述第一金属导电层上；所述第二金属导电层通过第三道光罩蚀刻形成于所述中间层上；所述钝化层通过沉积以及第四道光罩的蚀刻形成于所述中间层以及第二金属导电层上；所述黑色电极层形成于所述钝化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
