[发明专利]具有微通道散热器的LED模块及其制备方法无效
申请号: | 201110237976.7 | 申请日: | 2011-08-18 |
公开(公告)号: | CN102280540A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 吴军;孙宙琰;郑利红 | 申请(专利权)人: | 上海亚明灯泡厂有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/64;H01L33/48;H01L25/075 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201801 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有微通道散热器的LED模块及其制备方法,该LED模块主要包括具有微型通道的微通道散热器及LED芯片,所述的微通道散热器以硅为衬底,且该硅衬底的底部具有用以流通冷却液的多个微通道,所述LED芯片通过合金工艺直接倒装在所述的微通道散热器上,该LED芯片工作中所产生的热量通过合金层就能传导到所述微通道散热器上,进而更利于热传导,具有很高的散热效率,克服了传统散热器以热的不良导体空气为传导介质的缺陷,非常适合于大功率LED封装的冷却,避免了传统封装工艺中的热阻过多的问题,本发明的制备方法工艺简单,可用于大规模的工业生产。 | ||
搜索关键词: | 具有 通道 散热器 led 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有微通道散热器的LED模块的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括以下步骤:步骤一,提供一半导体衬底,并依次在所述半导体衬底上生长缓冲层,N型GaN层、量子阱层、及P型GaN层,然后在所述P型GaN层上形成P型欧姆接触以制备出P电极,接着剥离所述半导体衬底并去除所述缓冲层,最后在所述N型GaN层上形成N型欧姆接触以制备出N电极,以制备出一LED芯片;步骤二,提供一具有上、下表面及四周侧面的硅衬底,刻蚀所述硅衬底的下表面,以在所述硅衬底的底部形成多个朝向该下表面开口并贯穿相对两侧面的沟道,然后将一密封层键合于所述硅衬底的下表面,以使各该沟道形成在所述的相对两侧面上分别具有进口及出口的用以流通冷却液的多个微通道,并于所述硅衬底的上表面形成一绝缘层,以制备出一微通道散热器;步骤三,于所述绝缘层上制作正、负电极板,将所述LED芯片通过合金工艺倒装在所述正电极板上,然后使用金丝球焊机将一金丝键合于所述N电极与所述负电极板之间以完成电性连接,同时于所述正、负电极板上分别制备出对应电性连接于一外部电源的正、负电极连接端;以及步骤四,在所述LED芯片上涂覆荧光粉,然后藉由硅胶进行灌封,以密封所述正、负电极板,LED芯片,金线以及荧光粉于所述微通道散热器的绝缘层上,最后进行烘烤固化,以完成所述LED模块的制备。
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