[发明专利]用于在半导体器件中形成器件单元的布局方案和方法有效

专利信息
申请号: 201110232185.5 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102738065A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 潘显裕;陈蓉萱;周绍禹;陈炎辉;廖宏仁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/528;H01L27/02
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种用于形成字线解码器器件和具有字线解码器单元的其他器件的方法和布局,提供了使用非DPL光刻操作形成金属互连层,并且提供了使用下部金属层或中部金属层或者相邻引线材料缝合设置在末端的晶体管。可以将晶体管设置在纵向配置的字线解码器或者其他单元中或者附近,并且使用金属或引线材料连接的引线降低了晶体管之间的栅极电阻并且避免了RC信号延迟。本发明还公开了一种用于在半导体器件中形成器件单元的布局方案和方法。
搜索关键词: 用于 半导体器件 形成 器件 单元 布局 方案 方法
【主权项】:
一种用于形成半导体器件的方法,包括:形成下层结构,所述下层结构包括:器件单元和一对晶体管,所述一对晶体管彼此间隔开并且具有相应的栅极,所述器件单元包括:至少三个金属‑金属互连层,所述金属‑金属互连层包括:下部金属‑金属互连层、中部金属‑金属互连层、以及上部金属‑金属互连层;仅使用一个光掩模和一次蚀刻操作在所述中部金属‑金属互连层中形成图案;以及在所述下部金属‑金属互连层中形成第一金属图案,所述第一金属图案包括第一金属引线,所述第一金属引线连接所述一对晶体管的所述栅极。
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