[发明专利]本征层为碳锗薄膜的太阳能电池及其制备方法

摘要

本征层为碳锗薄膜的太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池及其制备方法。本发明要解决现有以非晶硅材料为本征层存在带隙较宽、吸收系数偏小的问题。太阳能电池包括透明衬底(1)、透明导电薄膜(2)、P型窗口层(3)、本征层(4)和N型层(5)。方法：将透明衬底(1)上镀上透明导电薄膜(2)；在透明导电薄膜(2)上镀上P型窗口层(3)；清洗、加热、保温，通入氩气，反溅清洗；制备本征层(4)；制备N型层(5)，即完成本征层为碳锗薄膜的太阳能电池的制备。本发明太阳能电池结构新颖，制备工艺简单、易操作；本征层为碳锗薄膜，具有窄带隙，光学吸收较大的优点，可提高太阳能电池的光电转化效率。用于太阳能电池领域。

主权项

本征层为碳锗薄膜的太阳能电池，其特征在于本征层为碳锗薄膜的太阳能电池，包括透明衬底(1)、透明导电薄膜(2)、P型窗口层(3)、本征层(4)和N型层(5)，透明导电薄膜(2)设在透明衬底(1)的上表面上，P型窗口层(3)设在透明导电薄膜(2)的上表面上，本征层(4)设在P型窗口层(3)的上表面上，N型层(5)设在本征层(4)的上表面上；其中所述本征层(4)为碳锗薄膜。