[发明专利]半导体器件的制造方法无效

申请号：	201110229472.0	申请日：	2008-06-11
公开（公告）号：	CN102263033A	公开（公告）日：	2011-11-30
发明（设计）人：	冈田茂业;二濑卓也	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/00;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/285;H01L21/762
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	杨宏军;王大方
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明涉及半导体器件的制造方法，包括以下工序：(a)准备半导体衬底，(b)在其上形成半导体区域，(c)在包括半导体区域的半导体衬底上形成金属膜，(d)进行第1热处理形成金属硅化物层，(e)除去未反应的金属膜，在半导体区域上残留金属硅化物层，(f)进行热处理温度高于第1热处理的第2热处理，(g)在包括金属硅化物层上的半导体衬底上形成绝缘膜，其中，第2热处理的热处理温度低于构成金属膜的金属元素的二硅化物的晶格大小与半导体衬底的晶格大小一致的第1温度，构成金属膜的金属元素的单硅化物相的电阻率低于构成金属膜的金属元素的二硅化物相，在第2热处理后，金属硅化物层仍为金属元素的单硅化物相。
搜索关键词：	半导体器件制造方法
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【主权项】：

一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：(a)准备半导体衬底的工序，(b)在所述半导体衬底上形成半导体区域的工序，(c)在包括所述半导体区域上的所述半导体衬底上形成金属膜的工序，(d)进行第1热处理使所述金属膜和所述半导体区域反应，形成由构成所述金属膜的金属元素的单硅化物组成的金属硅化物层的工序，(e)在所述(d)工序之后，除去未反应的所述金属膜，在所述半导体区域上残留所述金属硅化物层的工序，(f)在所述(e)工序之后，进行热处理温度高于所述第1热处理的第2热处理的工序，(g)在所述(f)工序之后，在包括所述金属硅化物层上的所述半导体衬底上形成绝缘膜的工序，其特征在于，所述(f)工序的所述第2热处理的热处理温度低于构成所述金属膜的所述金属元素的二硅化物的晶格大小与所述半导体衬底的晶格大小一致的第1温度，构成所述金属膜的所述金属元素的单硅化物相的电阻率低于构成所述金属膜的所述金属元素的二硅化物相，在所述(f)工序的所述第2热处理后，所述金属硅化物层仍为所述金属元素的单硅化物相。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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