[发明专利]高效率双结氢化与氦化非晶硅薄膜太阳能电池

摘要

本发明关于一种可提升普片使用的单结非晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖双结技术方法，其目的系将原本使用的单结非晶硅薄膜的光电转化效率从7％提升至双结的9％，所有工艺不需昂贵的气体使用，即可达成高效率低成本的大量生产目标。本发明为一种可取代现有的双结氢化参杂锗的新颖发明，利用氦化底电池的引进与原本的氢化顶电池搭配，形成高能隙与低能隙的双结非晶硅模组，利用加强入射光的使用光谱范围，而达成高效率低成本的非晶硅薄膜太阳能电池生产目标。

主权项

本发明为一种可取代现有的双结氢化参杂锗的新颖发明，利用氦化底电池的引进与原本的氢化顶电池搭配，形成高能隙与低能隙的双结非晶硅模组，利用加强入射光的使用光谱范围，而达成高效率低成本的非晶硅薄膜太阳能电池生产目标。流程为先在透明导电前电极薄膜上依序沉积氢化P型非晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型非晶硅薄膜，接着再依序沉积氦化P型非晶硅薄膜、氦化本征层非晶硅薄膜、氦化N型非晶硅薄膜，最后沉积金属氧化物反射层和金属背导电层薄膜。而本发明中的氦化非晶硅薄膜则是透过通入硅烷、氦气、磷烷、硼烷于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量比、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备，并经由厚度和光学的匹配和调整来促成双结非晶硅薄膜的效率提升，尤其是藉由氦化底电池的低能隙来提升红光光谱的吸收，增加了短路电流的输出，而达成高效率的目标。