[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110228724.8 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931125A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李付军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底上具有垫氧化层；在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层；在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙；以所述具有隔离区图案的氧化阻挡层和补偿侧墙为掩膜，在所述基底的隔离区内形成场氧化层。本发明所提供的半导体器件制造方法，在LOCOS工艺过程中，能有效地控制场氧化层在横向上扩散至氧化阻挡层边缘附近处所形成的“鸟嘴”的长度，进而可减小或避免“鸟嘴效应”的发生，从而可增加基底上有效管芯的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有垫氧化层；在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层；在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙；以所述具有隔离区图案的氧化阻挡层和补偿侧墙为掩膜，在所述基底的隔离区内形成场氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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