[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110228724.8 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931125A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李付军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有垫氧化层；
在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层；
在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙；
以所述具有隔离区图案的氧化阻挡层和补偿侧墙为掩膜，在所述基底的隔离区内形成场氧化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙，具体包括：
在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层上形成补偿层；
以所述基底上的垫氧化层为反刻阻挡层，采用干法刻蚀工艺对所述补偿层进行反刻，在所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案内形成与氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
去除所述具有隔离区图案的氧化阻挡层和补偿侧墙。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层，具体包括：
在所述垫氧化层上形成氧化阻挡层；
在所述氧化阻挡层上形成具有隔离区图案的光刻胶层；
以所述具有隔离区图案的光刻胶层为掩膜采用刻蚀工艺在所述垫氧化层上形成具有隔离区图案的氧化阻挡层；
去除所述具有隔离区图案的光刻胶层。
5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述补偿侧墙的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述氧化阻挡层为氮化硅层。
7.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，在所述基底的隔离区内形成场氧化层采用湿法氧化工艺。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上的垫氧化层；
位于所述垫氧化层上的具有隔离区图案的氧化阻挡层；
位于所述具有隔离区图案的氧化阻挡层的隔离区图案中、与所述氧化阻挡层边缘相邻的补偿侧墙；
位于所述基底隔离区内的场氧化层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化阻挡层和补偿侧墙的材料均为氮化硅。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述垫氧化层和场氧化层的材料均为氧化硅。
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