[发明专利]一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201110223605.3 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN102280529A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 宋鑫;潘清涛;胡增鑫;刘佳;贾海军;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01B13/00;H01B5/14;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23F1/00 |
代理公司: | 唐山顺诚专利事务所 13106 | 代理人: | 于文顺 |
地址: | 071051 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明涉及一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法,属于薄膜太阳电池制造技术领域。技术方案是:①在清洗过后的玻璃衬底上,使用磁控溅射工艺制备一层1000nm-1500nm的ZnO透明导电层;②保持气体压强、衬底温度、射频功率不变,单独改变通入反应腔室内的氩气流量,制备ZnO透明导电膜;③将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀;④刻蚀后ZnO透明导电膜经过去离子水清洗,氮气吹干后,即可得到绒面ZnO透明导电膜。本发明的优点和积极效果:高绒度,高光散射能力,高近红外光散射能力,高透过率,低电导,制备的ZnO透明导电薄膜具有高散射透过率、高透过率和低电阻率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 高绒度值 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有高绒度值的透明导电薄膜制备方法,其特征在于包含如下工艺步骤:①在气体压强1‑‑5mTorr氩气环境中,衬底温度0‑‑300℃,射频功率100‑‑300W的条件下,在清洗过后的玻璃衬底上,使用磁控溅射工艺制备一层1000nm‑‑1500nm的ZnO透明导电层;②保持气体压强、衬底温度、射频功率不变,单独改变通入反应腔室内的氩气流量,制备ZnO透明导电膜;③将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀;④刻蚀后ZnO透明导电膜经过去离子水清洗,氮气吹干后,即可得到绒面ZnO透明导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的