[发明专利]光电转换元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110219218.2 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102376814A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 山田泰弘;田中勉;高德真人;伊藤良一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光电转换元件及其制造方法。所述光电转换元件包括：第一半导体层，其表现出第一导电类型，并设置在基板上方的选择区域中；第二半导体层，其表现出第二导电类型，并设置成与所述第一半导体层相对；及第三半导体层，其设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并大体上表现出本征导电类型，所述第三半导体层具有至少一个不与所述第一半导体层接触的角部。根据本发明，能够抑制由裂缝导致的暗电流或者能够抑制裂缝本身的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其包括：第一半导体层，其表现出第一导电类型，并设置在基板上方的选择区域中；第二半导体层，其表现出第二导电类型，并设置成与所述第一半导体层相对；及第三半导体层，其设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并表现出本征导电类型，所述第三半导体层具有至少一个不与所述第一半导体层接触的角部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
