[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110213090.9 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102332459A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张博 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器，包括：具有第一掺杂类型的基底；位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；位于所述基底表面的绝缘层；位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。本发明实施例的CMOS图像传感器通过第二感光区的形成，从而提高感光区的整体高度，获得的成像质量好，且形成工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括：具有第一掺杂类型的基底；位于所述基底内且与所述基底的表面齐平的第一感光区，所述第一感光区具有第二掺杂类型；位于所述基底表面的绝缘层；其特征在于，还包括：位于所述绝缘层内的开口，所述开口暴露出第一感光区；位于所述开口内、与所述第一感光区相连的第二感光区，所述第二感光区具有第二掺杂类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
