[发明专利]一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法

摘要

一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法，涉及光电技术领域。本发明结构包括衬底和在衬底上依次外延生长的N型氮化镓层、有源发光层、P型氮化镓层。P型氮化镓层的上方为透明导电层，透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述透明导电层分隔成为多个小面积的导电层块，各导电层块之间用金属电极连接起来并且都连接到P型电极。同现有技术相比，本发明能有效提高大电流注入情况下的电流注入效率，从而提高发光二极管器件的发光效率和可靠性。

主权项

一种大功率GaN基发光二极管结构，它包括衬底(11)和在衬底(11)上依次外延生长的N型氮化镓层(121)、有源发光层(122)、P型氮化镓层(123)，P型氮化镓层(123)的上方为透明导电层(13)，透明导电层(13)上的一端置有P型电极(141)，N型氮化镓层(121)上、与P型电极(141)相对的另一端置有N型电极(142)；其特征在于，所述透明导电层(13)分隔成为多个小面积的导电层块(131)，各导电层块(131)之间用金属电极(132)连接起来并且都连接到P型电极(141)。