[发明专利]一种大功率GaN基发光二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种大功率GaN基发光二极管结构，它包括衬底(11)和在衬底(11)上依次外延生长的N型氮化镓层(121)、有源发光层(122)、P型氮化镓层(123)，P型氮化镓层(123)的上方为透明导电层(13)，透明导电层(13)上的一端置有P型电极(141)，N型氮化镓层(121)上、与P型电极(141)相对的另一端置有N型电极(142)；其特征在于，所述透明导电层(13)分隔成为多个小面积的导电层块(131)，各导电层块(131)之间用金属电极(132)连接起来并且都连接到P型电极(141)。

2.根据权利要求1所述的大功率GaN基发光二极管结构，其特征在于，所述导电层块(131)形状为正方形、长方形、平行四边形或者以及其它任意形状的小面积结构。

3.一种大功率GaN基发光二极管结构的制作方法，其步骤为：

1)在衬底(11)上用金属有机化合物化学气相淀积技术分别外延生长N型氮化镓层(121)、有源发光层(122)和、P型氮化镓层(123)；

2)利用光刻和干法刻蚀技术刻蚀出N型接触氮化镓区；

3)利用光刻和蒸发的方法在P型氮化镓层(123)上制备透明导电层(13)；

4)利用刻蚀技术将大面积的透明导电层(13)分隔成为多个小面积的导电层块(131)；

5)利用光刻和蒸发的方法制备P型电极(141)和N型电极(142)，并制备金属电极(132)将各导电层块(131)之间连接起来与P型电极(141)相接；

6)将蓝宝石衬底(11)从背面进行减薄，并将大功率GaN基发光二极管沿设计好的分割道分割成单个管芯。