[发明专利]太阳电池及其制备方法、装置无效
申请号: | 201110206361.8 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102891209A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 陈丽萍;钱洪强 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;C25D5/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 唐立;王忠忠 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳电池及其制备方法、装置,属于光伏技术领域。该制备方法中,使用带刷镀笔的电刷镀装置在所述太阳电池的背电场上构图电刷镀所述太阳电池的背电极。该太阳电池使用该制备方法形成。该制备方法操作简单、构图方便、制备成本低,易于与现有的太阳电池制备方法兼容,并且背电极可常温下形成,其可焊接特性、结合力好,尤其适合应用于p型全背电场电池和n型铝背结电池,有利于提高太阳电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种太阳电池的制备方法,其特征在于,使用带刷镀笔的电刷镀装置在所述太阳电池的背电场/铝背结上构图电刷镀所述太阳电池的背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的