[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备有效
| 申请号： | 201110206040.8 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102347340A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 川岛淳志;平松克规;三好康史 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种固态成像装置及其制造方法以及成像设备。该固态成像装置包括：半导体衬底，提供有包括光电转换入射光的光接收部分的有效像素区域；互连层，提供在半导体衬底的与光接收面相反的面侧；第一凹槽部分，提供在相邻的光接收部分之间，并且从半导体衬底的光接收面侧起以预定深度而形成；以及绝缘材料，埋设在第一凹槽部分的至少一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
一种固态成像装置，包括：半导体衬底，提供有包括光电转换入射光的光接收部分的有效像素区域；互连层，提供在该半导体衬底的与光接收面相反的面侧；第一凹槽部分，提供在相邻的光接收部分之间，并且从该半导体衬底的该光接收面侧起以预定深度而形成；以及绝缘材料，埋设在该第一凹槽部分的至少一部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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