[发明专利]电路装置的制造方法有效
申请号: | 201110204480.X | 申请日: | 2011-07-21 |
公开(公告)号: | CN102347245A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 三野胜义;岩渕明;西村航 | 申请(专利权)人: | 安森美半导体贸易公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/50;H05K3/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 百慕大*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | 本发明提供一种电路装置的制造方法,该电路装置的制造方法通过一体地形成的密封树脂来树脂密封电路元件。本发明在模具(27)的型腔(39)内部收纳树脂片(10)及电路基板(14)后,向型腔(39)注入由熔化的树脂块(46)形成的第一密封树脂(18)。在注入第一密封树脂(18)时,将树脂片(10)熔化而形成的第二密封树脂(20)未硬化而处于液态。因此,注入的第一密封树脂(18)与第二密封树脂(36)在其分界(36)混合,所以在该部分不产生空隙,能够防止在该部分的耐湿性及耐压性恶化。 | ||
搜索关键词: | 电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电路装置的制造方法,其特征在于,具备如下工序:在模具的型腔内部一并配置电路元件及压锭片,向所述模具的纵槽投入树脂块;以及向所述型腔注入由熔化的所述树脂块形成的第一密封树脂,并且将所述压锭片熔化而形成第二密封树脂,由此对所述电路元件进行树脂密封;在所述树脂密封工序中,向所述型腔注入所述第一密封树脂之后,使由熔化的所述压锭片形成的所述第二密封树脂硬化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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