[发明专利]一种DRAM源同步的测试方法及其测试电路有效

专利信息
申请号: 201110201791.0 申请日: 2011-07-19
公开(公告)号: CN102332309A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 李进;郝福亨 申请(专利权)人: 山东华芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 徐平
地址: 250101 山东省济南市高*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种DRAM源同步的测试方法及其测试电路,解决了现有技术测试方式复杂、可靠性不高的技术问题。本发明是一个集成在DRAM内部可以精确测量源同步时间参数的电路,单次运行就可测试出参数是否符合规范标准。该测试电路被激活时,同时打开DQ管脚和DQS管脚的驱动电路及接收电路。该测试电路包含可调延时单元,可以相对于DQ沿移动DQS沿,该可调延时单元位于DQS管脚驱动电路之前;可调延时单元也可放置在DQS管脚接收电路之后,DQ管脚延时接收DQS信号。本发明能够有效重构出测试机台无法实现的源同步测试功能;测试操作简便,精度、可靠性较好。
搜索关键词: 一种 dram 同步 测试 方法 及其 电路
【主权项】:
一种DRAM源同步的测试方法,包括以下步骤:(1)将DRAM设置为测试模式,使读路径和写路径被同时激活;(2)在读路径中,时钟信号驱动数据由FIFO输出至DQ管脚,并驱动DQS管脚发出选通信号;(3)步骤(2)DQ管脚接收的数据和DQS管脚发出的选通信号直接转回写路径;DQS信号选通DQ管脚将数据写入;(4)DQ管脚写入的数据经锁存后与步骤(2)由FIFO输出至DQ管脚的原数据进行比较,判断由该DQ管脚写入的数据是否正确,即判断出该DQ管脚是否合格,得到测试结果;在上述步骤(2)读路径或步骤(3)写路径中对DQ管脚与DQS管脚之间进行延时设置。
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