[发明专利]一种DRAM源同步的测试方法及其测试电路有效
申请号: | 201110201791.0 | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN102332309A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 李进;郝福亨 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 徐平 |
地址: | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dram 同步 测试 方法 及其 电路 | ||
1.一种DRAM源同步的测试方法,包括以下步骤:
(1)将DRAM设置为测试模式,使读路径和写路径被同时激活;
(2)在读路径中,时钟信号驱动数据由FIFO输出至DQ管脚,并驱动DQS管脚发出选通信号;
(3)步骤(2)DQ管脚接收的数据和DQS管脚发出的选通信号直接转回写路径;DQS信号选通DQ管脚将数据写入;
(4)DQ管脚写入的数据经锁存后与步骤(2)由FIFO输出至DQ管脚的原数据进行比较,判断由该DQ管脚写入的数据是否正确,即判断出该DQ管脚是否合格,得到测试结果;
在上述步骤(2)读路径或步骤(3)写路径中对DQ管脚与DQS管脚之间进行延时设置。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述延时设置是对驱动DQS管脚的时钟信号设置时钟延时,使DQS沿相对于DQ沿移动;或者是对DQS管脚发出的选通信号设置时钟延时,使DQ管脚延时接收DQS管脚发出的选通信号。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:
步骤(4)中将两个数据进行比较后,通过锁存电路输出状态信息,即若两个数据不同,则锁存电路置位,表明该DQ管脚不合格。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:通过调节时钟延时时间,多次扫描,进而求得该DRAM芯片的DQS与DQ的时间参数。
5.设置于DRAM芯片内部的源同步测试电路,其特征在于:包括对应于每个DQ管脚单独设置的FIFO、数据锁存器、比较模块和状态信息锁存器;该源同步测试电路的读路径和写路径同时处于激活状态,读路径或写路径上设置有可调延时单元;在读路径上,时钟信号单元输出端分别与DQ管脚驱动端和DQS管脚连接,FIFO的输出端与相应的DQ管脚数据端连接;在写路径上,DQ管脚数据端和DQS管脚与相应的数据锁存器连接,数据锁存器的输出端和所述FIFO的输出端连接至比较模块,比较模块输出端连接至状态信息锁存器以输出测试结果。
6.根据权利要求5所述的源同步测试电路,其特征在于:所述可调延时单元设置于时钟信号输出端与DQS管脚之间或者设置于DQS选通路径上。
7.根据权利要求5所述的源同步测试电路,其特征在于:在每个DQ管脚或DQS管脚内均单独设置有可调延时单元。
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