[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201110201150.5 | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN102332512A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 崔正铉;曹贤敬;闵福基 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 可以提供一种发光器件,其包括导电支撑构件、第一导电层、第二导电层、在第一导电层和第二导电层之间的绝缘层、和发光结构,该发光结构包括在第二导电层上的第二半导体层、第一半导体层、和在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层。第一导电层可以包括通过第二导电层、第二半导体层和有源层的至少一个导电通孔。该至少一个导电通孔的顶表面设置于第一半导体层中。绝缘层可以基本围绕导电通孔的侧壁。第一半导体层的第一表面可以包括第一表面区域、第二表面区域和具有底表面的凹陷。该凹陷可以与第一导电层的底表面对准,并且第一导电层的第一表面可以与第一半导体层的第一表面的第一区域对准。第一半导体层的第一表面和凹陷可以具有表面粗糙。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:导电支撑构件;在所述导电支撑构件上的第一导电层;在所述第一导电层上的第二导电层;在所述第一导电层和所述第二导电层之间的绝缘层;和发光结构,所述发光结构包括在所述第二导电层上的第二半导体层、第一半导体层和在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层,所述第一半导体层具有第一表面区域和第二表面区域,其中所述第一导电层包括通过所述第二导电层、所述第二半导体层和所述有源层的至少一个导电通孔,并且所述至少一个导电通孔的第一表面设置于所述第一半导体层中,其中所述绝缘层基本围绕所述导电通孔的侧壁,其中所述第一半导体层的所述第一表面包括第一表面区域、第二表面区域和设置在所述第一表面区域和所述第二表面区域之间的凹陷,所述凹陷具有底表面,其中所述凹陷与所述第一半导体层的所述第二表面对准,并且所述至少一个导电通孔的所述第一表面与所述第一半导体层的所述第一表面区域对准,并且其中所述第一半导体层的所述第一表面区域具有表面粗糙并且所述凹陷的所述底表面具有表面粗糙。
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