[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光器件。

背景技术

发光二极管(LED)是一种用于将电能转换成光的半导体元件。与诸如荧光灯和白炽电灯的现有光源相比，LED可以具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和/或环保的优点。研究可以致力于利用LED替代现有光源。LED可以用作用于例如在室内和室外使用的各种灯、液晶显示器装置、电气标志和路灯等的照明装置的光源。

可以开发垂直LED器件，其不同于以前的LED器件并且其中可以形成有上电极和下电极。在垂直LED器件中，因为电流从顶部流到底部，所以电流可以被均匀地注入并且遍布器件的整个区域。因此，垂直LED器件可以具有低操作电压和有源区中的优异的电流均匀性。

当垂直LED器件被应用于诸如显示器、内部/外部照明模块和照明设备等的高功率应用时，可以改进热性质并且可以开发适合于热性质的设计。垂直LED器件可以具有以下优点：移除了具有低导热率的蓝宝石衬底、通过插入金属电极改进了热阻，和/或延长了产品寿命。

附图说明

可以参考以下附图详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记表示相同的元件，并且其中：

图1A示出根据第一实施例的发光器件的顶表面；

图1B是沿着图1A中所示的线a-a’截取的发光器件的截面视图；

图1C是放大图1B中所示的“B1”区域的电子显微镜照片；

图1D是放大图1B中所示的AA’区域的视图；

图2A示出根据第二实施例的发光器件的顶表面；

图2B示出沿着图2A中所示的线a-a’和b-b’截取的发光器件的截面；

图3A示出根据第三实施例的发光器件的顶表面；

图3B示出沿着图3A中所示的线a-a’和b-b’截取的发光器件的截面；

图3C是放大图3B中所示的CC’区域的视图；

图4示出一种发光器件封装；并且

图5是示出包括发光器件封装的照明系统的视图。

具体实施方式

可以参考附图详细地描述实施例。然而，仅仅为了更容易地描述实施例而提供了附图。本领域技术人员可以理解，实施例的精神和范围不限于附图的范围。

为了说明方便和清楚起见，每一个层的厚度或者尺寸可以被放大、省略或者示意性示出。每一个构件的尺寸不必须表示其实际尺寸。

将会理解，当一个元件被称作在另一元件“上”或者“下”时，它可以直接地在该元件上/下，并且也可以存在一个或者多个中间元件。当一个元件被称作在“上”或者“下”时，基于该元件，可以包括“在该元件下”以及“在该元件上”。

可以参考附图详细地描述实施例。

第一实施例

图1A示出根据第一实施例的发光器件100的顶表面。图1B是沿着图1A中所示的线a-a’截取的发光器件100的截面视图。图1C是放大图1B中所示的‘B1’区域的电子显微镜照片。图1D是放大图1B中所示的AA’区域的视图。也可以提供其它实施例和构造。

参考图1A、1B和1D，发光器件100可以包括导电支撑构件110、第一导电层120、第二导电层130、被置放在第一导电层120和第二导电层130之间的绝缘层170、和发光结构。

导电支撑构件110可以包括Au、Ni、Al、Cu、W、Si、Se或者GaAs中的至少一种。例如，导电支撑构件110可以由Si和Al的金属合金制成。

发光结构可以包括第一半导体层140、第二半导体层150和被置放在第一半导体层140和第二半导体层150之间的有源层160。

为了方便起见，假设第一导电层120是n型导电层，第二导电层130是p型导电层，第一半导体层140是n型半导体层，并且第二半导体层150是p型半导体层。

n型导电层120可以形成在导电支撑构件110上并且可以包括具有倾斜斜面的至少一个导电通孔120a。n型导电层120可以包括Al、Au、Pt、Ti、Cr或者W中的至少一种。