[发明专利]一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法有效
| 申请号： | 201110198260.0 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102243993A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 何巍;陆书龙;董建荣;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法。这种生长GaInP化合物半导体的方法步骤包括：选取Ge衬底置于无残余Ga和In的反应腔室中，然后向反应腔室中通入P2，并加热Ge衬底至600-700℃，使其表面覆盖一层P原子，最后将Ge衬底降温至生长温度，同时向反应腔室中通入Ga和In，生长GaInP化合物半导体。本发明的有益效果是：在高温下通入P2不存在原子堆积现象，不改变Ge衬底表面的台阶分布，有利于抑制反相筹等缺陷的产生。另一方面控制生长过程在较低温度下进行，避免原子在异质界面间的互扩散，得到高质量的Ge/GaInP异质结结构半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 衬底 生长 gainp 化合物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)选取Ge衬底置于反应腔室中，保持反应腔室中残余的Ga和In的压力低于2×10‑8Torr；(2)向反应腔室通入P2，同时加热Ge衬底至600‑700℃，在所述Ge衬底表面覆盖一层P原子层；(3)将Ge衬底降温至生长温度，同时向反应腔室通入材料Ga和In，生长GaInP化合物半导体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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