[发明专利]透明导电层及其形成方法无效
| 申请号： | 201110192328.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315321A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | J·M·弗里 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明名称为透明导电层及其形成方法。用于形成透明导电层的方法。该方法包括提供包括镉、锡和氧的层。将集中电磁能(503)从能源(501)引向该层的至少一部分以将该层的该至少一部分局部加热。将该层结晶为氧化镉锡陶瓷。还公开具有该激光结晶的氧化镉锡陶瓷的光伏电池(107)和一种物质成分。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成透明导电层的方法，所述方法包括：提供包括镉、锡和氧的层；将集中电磁能(503)从能源(501)引向所述层的至少一部分以将所述层的所述至少一部分局部加热；以及将所述层结晶为氧化镉锡陶瓷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
