[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110191980.4 | 申请日： | 2011-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102881569A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 史亮亮;郭海成;凌代年;邱成峰;贾洪亮;黄飚;黄宇华 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 曹津燕 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上依次沉积阻挡层、非晶硅层和诱导金属层；对上述形成的诱导金属层进行光刻处理，得到相互平行的诱导金属线；对上述处理的诱导金属层进行退火处理，并在退火过程中对诱导金属线施加直流电压；以及经退火处理后，以例如酸洗的方法去掉诱导金属线，以形成多晶硅薄膜。本发明的制备方法退火时间短，横向晶化区多晶硅层诱导金属残留量低，制备的多晶硅薄膜晶粒大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：步骤1、在衬底上依次沉积阻挡层、非晶硅层和诱导金属层；步骤2、对步骤1形成的诱导金属层进行光刻处理，得到相互平行的诱导金属线；步骤3、对经步骤2处理的诱导金属层进行退火处理，并在退火过程中对诱导金属线施加直流电压；以及步骤4、经步骤3退火处理后，以例如酸洗的方法去掉诱导金属线，以形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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