[发明专利]发光二极管元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110190330.8 申请日: 2011-07-08
公开(公告)号: CN102810614A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 余国辉;朱长信;吴奇隆;邱信嘉;林忠欣;张瑞君 申请(专利权)人: 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种发光二极管元件及其制造方法。发光二极管元件包括基板、第一接合层、外延结构、第一电性导电分支、第一电性电极层、绝缘层与第二电性电极层。第一接合层设于基板的第一表面上。外延结构包括第一凹槽与第二凹槽。第一凹槽自外延结构的第四表面延伸至第一电性半导体层,第二凹槽自外延结构的第四表面延伸至相对的第三表面。第一电性导电分支设于第一凹槽中的第一电性半导体层上。第一电性电极层设于第二凹槽中且与第三表面共平面。绝缘层填充于第一凹槽与第二凹槽。第二电性电极层与外延结构的第二电性半导体层电性连接。
搜索关键词: 发光二极管 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管元件,包括:基板,具有相对的第一表面与第二表面;第一接合层,设于该第一表面上;第一外延结构,具有相对的第三表面与第四表面,且包括第一凹槽与第二凹槽,其中该第一外延结构包括依序堆叠在该第一接合层上的第二电性半导体层、有源层与第一电性半导体层,且该第一凹槽自该第四表面经由该有源层而延伸至该第一电性半导体层,该第二凹槽自该第四表面延伸至该第三表面,其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同;第一电性导电分支,设于该第一凹槽中的该第一电性半导体层上;第一电性电极层,设于该第二凹槽中,且与该第三表面共平面,并与该第一电性导电分支连接;绝缘层,填充于该第一凹槽与该第二凹槽中;以及第二电性电极层,与该第二电性半导体层电性连接。
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