[发明专利]利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法有效
| 申请号： | 201110190102.0 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102255015A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;张荣芬;杨利忠;李绪诚;许铖 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550003 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用LED芯片发射圆偏振光的方法及产品及其制备方法，在LED芯片顶层的n型层或p型层中加入过渡金属，使顶层的n型层或p型层具有磁性，为LED芯片的发光层提供自旋极化的载流子注入，再将其输运到发光层与衬底基片一侧的p型层或n型层中提供的未自旋极化的载流子辐射复合，使LED芯片的发光层发射出圆偏振光。本发明采用在LED芯片pn结半导体层材料中加入过渡金属引入磁性的方法，使pn结半导体层能为发光层提供极化的自旋载流子注入，以实现LED芯片发出圆偏振光的目的。并且，还可以通过调整所述LED芯片的发光层的结构及材料组分，以获得不同颜色的圆偏振光。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 led 芯片 发射 偏振光 方法 产品 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种利用LED芯片发射圆偏振光的方法，其特征在于：在LED芯片顶层的n型层或p型层中加入过渡金属，使顶层的n型层或p型层具有磁性，为LED芯片的发光层提供自旋极化的载流子注入，再将其输运到发光层与衬底基片一侧的p型层或n型层中提供的未自旋极化的载流子辐射复合，使LED芯片的发光层发出圆偏振光；或者在发光层两侧的n型层及p型层中均加入过渡金属，使n型层及p型层均具有磁性，n型层及p型层同时注入自旋载流子，输运到发光层辐射复合，使LED芯片的发光层发出圆偏振光。
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