[发明专利]一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法无效
| 申请号： | 201110183448.8 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102427020A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法，用于外延硅或者外延锗硅生长之前的晶片的清洗，其中，包括：步骤S1：在化学槽一中用SC1溶液清洗晶片；步骤S2：在化学槽二中用去离子水清洗晶片表面残留的SC1溶液；步骤S3：在化学槽三中用SC2溶液清洗晶片；步骤S4：在化学槽四中用去离子水清洗晶片表面残留的SC2溶液；步骤S5：在化学槽五中，首先用氢氟酸处理晶片，然后用去离子水溢流方式清除晶片表面残留的氢氟酸溶液，最后干燥所述晶片。本发明的一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法，可有效避免将晶片从水溶液中取出后再放入溶液以及在传送过程中所造成的水痕缺陷的形成，工艺过程简单易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 减少 缺陷 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法，用于外延硅或者外延锗硅生长之前的晶片的清洗，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：在化学槽一中用SC1溶液清洗晶片；步骤S2：在化学槽二中用去离子水清洗晶片表面残留的SC1溶液；步骤S3：在化学槽三中用SC2溶液清洗晶片；步骤S4：在化学槽四中用去离子水清洗晶片表面残留的SC2溶液；步骤S5：在化学槽五中，首先用氢氟酸处理晶片，然后用去离子水溢流方式清除晶片表面残留的氢氟酸溶液，最后干燥所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
