[发明专利]深冷温度下的束诱导沉积有效
申请号: | 201110180929.3 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102312224A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | J.J.L.穆尔德斯;P.H.F.特罗姆佩纳尔斯 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孟慧岚;艾尼瓦尔 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及深冷温度下的束诱导沉积,即在深冷温度下采用束诱导沉积将材料沉积到底材上的方法。前体气体选自熔点低于底材深冷温度的一类化合物。优选前体气体选自在所要求的深冷温度下粘着系数在0.5~0.8之间的一类化合物。这将导致前体气体在所要求的深冷温度下,在被吸附到底材表面的前体分子与解吸自底材表面的前体气体分子之间达到平衡。适用的前体气体可包括烷烃、烯烃或炔烃。在-50℃~-85℃的深冷温度下,可以使用己烷作为前体气体来沉积材料;在-50℃~-180℃的深冷温度下,可以使用丙烷作为前体气体。 | ||
搜索关键词: | 温度 诱导 沉积 | ||
【主权项】:
在深冷温度下使材料沉积到底材上的方法,该方法包括:导引前体气体指向底材表面;在前体气体存在下,采用粒子束辐照底材表面,前体气体在粒子束存在下发生反应,从而使材料沉积在底材表面上;其特征在于使底材冷却到所要求的低于‑50℃,更优选低于‑130℃的深冷温度;前体气体选自熔点低于所要求的深冷温度的一类化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于FEI公司,未经FEI公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110180929.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半固化片粉尘的粘尘板
- 下一篇:篦板筛的激振器与篦板的连接结构
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的