[发明专利]具有分离间隙阀门密封隔间的负载锁定室无效
申请号: | 201110180225.6 | 申请日: | 2007-08-03 |
公开(公告)号: | CN102254791A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 李在珠;栗田真一;苏希尔·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的具体实施例包括一负载锁定室,该负载锁定室具有一分离间隙阀门密封隔间。在一具体实施例中,一负载锁定室包括一主要组合件、一第一间隙阀门密封隔间及一密封组合件。主要组合件之中形成一基板输送腔。贯穿主要组合件形成二基板进接端口,并将该二基板进接端口流体耦合至腔。第一间隙阀门密封隔间具有一孔,该孔排列邻近于该些进接端口之一并与之成一直线。第一间隙阀门密封隔间和主要组合件分离。密封组合件将第一间隙阀门密封隔间耦合至主要组合件。 | ||
搜索关键词: | 具有 分离 间隙 阀门 密封 隔间 负载 锁定 | ||
【主权项】:
一种负载锁定室,包括:一主要组合件,所述主要组合件具有一基板输送腔以及贯穿该主要组合件形成的两个基板进接端口,所述两个基板进接端口流体耦合至该基板输送腔;一下方基板支撑结构,用以支撑该基板输送腔中的一第一基板;一上方基板支撑结构,用以支撑该基板输送腔中的一第二基板;一第一致动器,可操作地控制该下方基板支撑结构的高度;以及一第二致动器,可操作地控制该上方基板支撑结构的高度,而无论该下方基板支撑结构的高度如何。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造