[发明专利]气体分配装置及包括该气体分配装置的基板处理设备有效
申请号: | 201110176874.9 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102299045A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 都在辙;全富一;宋明坤;李政洛 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于基板处理设备的气体分配装置,包括:具有第一侧面的多个等离子体源电极;具有与第一侧面面对的第二侧面的多个等离子体接地电极,所述多个等离子体接地电极与多个等离子体源电极交替设置;和设置在每个等离子体源电极处的第一气体提供部,包括用于第一工艺气体的第一空间、穿过第一侧面并连接到第一空间的多个第一通孔、以及在第一侧面上的第一放电部。 | ||
搜索关键词: | 气体 分配 装置 包括 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种用于基板处理设备的气体分配装置,包括:具有第一侧面的多个等离子体源电极;具有面对第一侧面的第二侧面的多个等离子体接地电极,所述多个等离子体接地电极与多个等离子体源电极交替设置;和设置在每个等离子体源电极处的第一气体提供部,包括用于第一工艺气体的第一空间、穿过第一侧面并连接到所述第一空间的多个第一通孔、和在所述第一侧面上的第一放电部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周星工程股份有限公司,未经周星工程股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110176874.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:漏孔检测器
- 下一篇:内燃发动机的控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造