[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

摘要

本发明提供基板处理方法及基板处理装置。该基板处理方法能对基板实施均匀的等离子处理且能充分地响应一腔室多处理的要求。基板处理装置(10)具有：容纳晶圆(W)的腔室(11)、配置在腔室内、用于载置晶圆的基座(12)、与基座相对配置的上部电极(24)、与基座相连接的第2高频电源(16)，上部电极与接地构件(36)电连接，使上部电极能够相对于基座移动，在上部电极中埋入电介质(26)，将在处理空间(PS)中产生的等离子体与接地构件(36)之间的电位差分割为等离子体与电介质之间的电位差以及电介质与接地构件之间的电位差，而且，通过改变上部电极与基座之间的间隙(G)来改变上部电极与基座之间的等离子体密度。

主权项

一种基板处理方法，其使用等离子体来对基板实施蚀刻处理，其是在基板处理装置中改变上述基板的蚀刻率的基板处理方法，该基板处理装置具有：用于容纳上述基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置上述基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与上述下部电极相连接的高频电源；上述上部电极与上述下部电极之间的处理空间；与上述上部电极电连接的接地构件，使上述上部电极与上述下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，其特征在于，在上述上部电极的至少一部分中埋入电介质，将在上述处理空间中产生的等离子体与上述接地构件之间的电位差分割为上述等离子体与上述电介质之间的电位差以及上述电介质与上述接地构件之间的电位差，并且，改变上述上部电极与上述下部电极之间的间隔。