[发明专利]基板处理方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其使用等离子体来对基板实施蚀刻处理，其是在基板处理装置中改变上述基板的蚀刻率的基板处理方法，该基板处理装置具有：用于容纳上述基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置上述基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与上述下部电极相连接的高频电源；上述上部电极与上述下部电极之间的处理空间；与上述上部电极电连接的接地构件，使上述上部电极与上述下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，其特征在于，

在上述上部电极的至少一部分中埋入电介质，将在上述处理空间中产生的等离子体与上述接地构件之间的电位差分割为上述等离子体与上述电介质之间的电位差以及上述电介质与上述接地构件之间的电位差，

并且，改变上述上部电极与上述下部电极之间的间隔。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

上述上部电极是平板状的电极，上述电介质沿上述上部电极的平面方向设置。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

上述电介质仅设置在上述上部电极的与载置在上述下部电极上的基板的中央部相对的部分。

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

上述电介质呈在中心部具有贯通孔的圆板状，上述电介质以上述贯通孔与载置在上述下部电极上的基板的中央部相对的方式埋入上述上部电极中。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

通过减小上述上部电极与上述下部电极之间的间隔来增大上述蚀刻率。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

上述电介质由石英、氧化钇(Y₂O₃)、氧化铝(Al₂O₃)、二氧化硅(SiO₂)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)及碳化硅(SiC)中的任意一个构成。

7.一种基板处理装置，其被应用于权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

该基板处理装置具有：用于容纳基板的容纳室；配置在该容纳室内、用于载置上述基板的下部电极；与该下部电极相对配置的上部电极；与上述下部电极相连接的高频电源；上述上部电极与上述下部电极之间的处理空间；与上述上部电极电连接的接地构件，使上述上部电极与上述下部电极中的一个电极能够相对于另一个电极移动，并且，在上述上部电极的至少一部分中埋入有电介质。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

上述上部电极是平板状的电极，上述电介质沿上述上部电极的平面方向设置。