[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

提供一种具有新的抗反射结构的光电转换装置及其制造方法。在半导体表面上使相同种类或不同种类的半导体成长来形成凹凸结构，而不是通过蚀刻半导体衬底或半导体膜的表面来形成抗反射结构。例如，通过在光电转换装置的光入射表面一侧设置其表面具有多个突出部分的半导体层，大幅度减小表面反射。该结构可以通过气相成长法形成，因此不污染半导体。

主权项

一种光电转换装置，包括：导电层；所述导电层上的第一导电型的晶体半导体区域；以及所述第一导电型的晶体半导体区域上的第二导电型的晶体半导体区域，其中，所述第一导电型的晶体半导体区域包括多个须状物，所述多个须状物具有赋予所述第一导电型的杂质元素，所述第一导电型的晶体半导体区域由于所述多个须状物而具有凹凸表面，所述第二导电型与所述第一导电型彼此相反。