[发明专利]硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池

摘要

本发明是为了消除CdTe电池中铜或含铜背接触层材料的缺陷，避免铜的扩散对CdTe太阳电池性能产生不良影响。采用一种不含铜的硒化钒材料，添加在CdTe太阳电池基本结构的吸收层与金属背电极之间，作为CdTe太阳电池的背接触层。可实现CdTe太阳电池的欧姆接触，并使太阳电池的耗尽区变宽，界面复合降低，旁路电阻增大，填充因子提高，转换效率提高。由于本发明中未使用铜这样的受主掺杂剂，因此，电池在长期使用或存放后未见衰降，器件稳定性良好。

主权项

一种硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池，其结构为玻璃/透明导电薄膜/硫化镉/ 碲化镉/硒化钒/金属背电极，其特征是：以CdTe太阳电池基本结构为基础，采用硒化钒作为背接触层材料，添加在碲化镉与金属背电极之间。