[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110168969.6 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102683425A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄畴元 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件，包括：多个层叠图案，所述多个层叠图案具有顺序地层叠在衬底之上的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；形成在层叠图案之间的衬底中的沟槽；将沟槽以及层叠图案之间的间隔间隙填充的隔离层；以及形成在电介质层之上的控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：多个层叠图案，所述多个层叠图案包括形成在衬底之上并顺序地层叠的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；沟槽，所述沟槽被形成在所述层叠图案之间的所述衬底中；隔离层，所述隔离层将所述沟槽以及所述层叠图案之间的间隔间隙填充；以及控制栅，所述控制栅被形成在所述电介质层之上。
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