[发明专利]晶片规模x射线检测器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。

主权项

一种晶片规模x射线检测器，所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，在其表面上具有多个芯片区域；光电导体层，位于所述无缝硅基底的所述表面上方；多个像素电极，形成在所述无缝硅基底的所述表面和所述光电导体层之间；印刷电路基底，设置成与所述无缝硅基底的另一表面对应；共电极，形成在所述光电导体层上并且x射线照射在所述共电极上，其中，每个芯片区域包括多个像素焊盘和多个引脚焊盘。