[发明专利]光掩模、利用该光掩模形成叠对标记的方法及二次图案化工艺的对位精度提高方法有效
申请号: | 201110164983.9 | 申请日: | 2011-06-20 |
公开(公告)号: | CN102681330A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 邱垂福 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00;G03F9/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种光掩模、利用该光掩模形成叠对标记的方法及一种二次图案化工艺的对位精度提高方法,该光掩模包括多个图案,所述多个图案至少其中之一包括多个环状区域及多个内部区域,所述多个内部区域被所述多个环状区域所包围,其中所述多个环状区域的透光性与所述多个内部区域的透光性不同。当该光掩模应用于光刻工艺,其所形成的叠对标记具有较大的厚度。因此,测量时,其对比较高,且较容易找到该叠对标记。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 利用 形成 标记 方法 二次 图案 化工 对位 精度 提高 | ||
【主权项】:
一种光掩模,包括:多个图案,所述多个图案至少其中之一包括多个环状区域及多个内部区域,所述多个内部区域被所述多个环状区域所包围,其中所述多个环状区域的透光性与所述多个内部区域的透光性不同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
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G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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